RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
40
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
4293
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link