RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
40
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2451
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link