RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3870
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link