Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Puntuación global

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

18 40

En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.4 12.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

17.2 8.9

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1789 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns