RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
66
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
66
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1699
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link