RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2231
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link