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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
65
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
65
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
1875
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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