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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3823
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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