RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
13.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3228
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link