RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3000
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link