RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
2330
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link