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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
4240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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