RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3277
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link