RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Compara
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2382
2179
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link