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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
3019
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
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