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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
48
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
1844
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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