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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
3178
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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