RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
51
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
3279
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link