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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
2913
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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