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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En -14% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
867
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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