RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3434
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link