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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2865
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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