RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3587
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link