RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
99
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
99
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
1358
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link