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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2583
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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