RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3393
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link