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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2607
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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