RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
3086
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link