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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 13.3
    Valor medio en las pruebas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 42
    En -2% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 13.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 8.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2152 left arrow 2322

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