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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
70
En 60% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
70
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
1971
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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