RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
2635
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link