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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2702
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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