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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2374
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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