RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
48
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
48
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2431
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link