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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
95
En 57% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
95
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
1518
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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