RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
44
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
4119
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link