RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3156
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link