RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3367
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link