RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
1433
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KB5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link