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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
68
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
46
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
2936
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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