RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
60
En -216% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
19
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3192
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link