RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
60
En -216% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
19
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3192
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link