RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
60
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
29
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2407
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link