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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
44
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
21
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3356
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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