RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2290
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link