RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
1699
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link