RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
38
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2451
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link