RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2780
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link