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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
44
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
39
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2183
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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