Comparación de la memoria RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Puntuación global

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,303.7 12.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

46 117

En -154% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 5300

En 4.83 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

784 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns