Comparación de la memoria RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 20.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,303.7 15.5

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 117

En -277% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 5300

En 4.83 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

784 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns